温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
HYG016N04LS1P
N沟道增强型MOSFET,电流:240A,耐压:40V
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 品牌名称
- HUAYI(华羿微)
- 商品型号
- HYG016N04LS1P
- 商品编号
- C2911693
- 商品封装
- TO-220FB-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.9克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 240A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.2mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 200W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 92.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.894nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 53pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.276nF |
商品概述
CJU30P03A采用先进的沟槽技术和设计，在低栅极电荷的情况下提供出色的RDS(ON)。它可用于多种应用。
商品特性
- 40V/240A
- 栅源电压(VGS)为10V时,导通电阻(RDS(ON))典型值为1.4 mΩ
- 栅源电压(VGS)为4.5V时,导通电阻(RDS(ON))典型值为1.8 mΩ
- 经过100%雪崩测试
- 可靠耐用
- 提供无铅环保器件(符合RoHS标准)
应用领域
-直流-直流电源管理-电池管理-逆变器系统中的电源管理