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HYG016N04LS1P
N沟道增强型MOSFET,电流:240A,耐压:40V
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- 品牌名称
- HUAYI(华羿微)
- 商品型号
- HYG016N04LS1P
- 商品编号
- C2911693
- 商品封装
- TO-220FB-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.9克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 240A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.2mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 200W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 92.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.894nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 53pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.276nF |
商品概述
CJU30P03A采用先进的沟槽技术和设计，在低栅极电荷的情况下提供出色的RDS(ON)。它可用于多种应用。
商品特性
- 高密度单元设计，实现超低RDS(ON)
- 雪崩电压和电流特性完全表征
- 具有高EAS，稳定性和一致性良好
- 采用特殊工艺技术，具备高ESD能力
- 出色的封装，散热性能良好
应用领域
- 硬开关和高频电路
- 不间断电源
- 电源开关应用