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PJM05P30PA
P沟道增强型功率MOSFET 1个P沟道 耐压:30V 电流:5.1A
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- 描述
- P沟道，VDS=-30V ID=-5.1A ,PD:2.15W RDS(ON)<55mΩ@Vgs=-10V
- 品牌名称
- PJSEMI(平晶微)
- 商品型号
- PJM05P30PA
- 商品编号
- C30187474
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.126842克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 55mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.15W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 6.8nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 596pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 68pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |