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PJM10N40PA
1个N沟道 耐压:40V 电流:10A
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- 描述
- N沟道，VDS=40V ID=10A ,PD:2.5W RDS(ON)<18mΩ@Vgs=10V
- 品牌名称
- PJSEMI(平晶微)
- 商品型号
- PJM10N40PA
- 商品编号
- C30187475
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.126842克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 25mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 20nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.25nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 85pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 114pF |
商品特性
- 先进沟槽MOS技术
- 100%保证抗雪崩能力
- 快速开关速度
- 提供环保器件
应用领域
- 高频开关
- 同步整流
- DC/DC转换器