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PJM05DP20DFA
双P通道增强模式功率MOSFET,电流:4.5A,耐压:20V
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- 描述
- 2个P沟道，VDS=-20V ID=-4.5A ,PD:1.4W RDS(ON)<28mΩ@Vgs=-4.5V ,低Qg
- 品牌名称
- PJSEMI(平晶微)
- 商品型号
- PJM05DP20DFA
- 商品编号
- C30187482
- 商品封装
- DFN2x2A-6L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0228克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 45mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.4W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 900mV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 7.8nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 740pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 190pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | - |
商品特性
- 低栅极电荷
- 采用高密度单元设计,实现超低导通电阻RDS(on)
- 在VGS = -4.5 V时,RDS(on) < 45 mΩ
应用领域
-PWM应用-负载开关-电源管理
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