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PJM03DN20DFA

2个N沟道 耐压:20V 电流:3.6A

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描述
两个N沟道,VDS=20V ID=3.6A ,PD:1W RDS(ON)<45mΩ@Vgs=10V
品牌名称
PJSEMI(平晶微)
商品型号
PJM03DN20DFA
商品编号
C30187476
商品封装
DFN2x2A-6L​
包装方式
编带
商品毛重
0.0226克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量2个N沟道
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)3.6A
导通电阻(RDS(on))60mΩ@2.5V
耗散功率(Pd)1W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))1.2V@250uA
栅极电荷量(Qg)4nC@4.5V
输入电容(Ciss)300pF
反向传输电容(Crss)80pF
工作温度-55℃~+150℃
输出电容(Coss)120pF

商品特性

  • 低导通电阻(RDS(on))沟槽技术
  • 低热阻
  • 快速开关速度
  • 100%雪崩测试

应用领域

  • 直流-直流转换-电源开关-PD充电器-电机驱动器

数据手册PDF