HRM65R400FF
N沟道 耐压:650V 电流:11A
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- 描述
- Super-junction MOSFET Gen I 根据SJ原理设计。该器件提供出色的栅极电荷和导通电阻(Rds(on)),可显著降低通信和传导损耗。因此,它非常适合用于AC/DC电源转换、笔记本电脑适配器、照明和工业电源应用。
- 品牌名称
- HRmicro(华瑞微)
- 商品型号
- HRM65R400FF
- 商品编号
- C2904137
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.745克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 11A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 400mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 31W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 22nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 803pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2.1pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 28.7pF |
商品概述
650V 第一代超结 MOSFET 第一代超结 MOSFET 是根据超结原理设计的。该器件具备出色的栅极电荷和导通电阻 Rds(on),可大幅降低开关和导通损耗。因此,它非常适用于 AC/DC 电源转换、笔记本电脑适配器、照明和工业电源应用。
商品特性
- 极低的品质因数 RDS(on) × Qg
- 100% 雪崩测试
- 超快体二极管
- 易于使用/驱动
- 符合 RoHS 标准
应用领域
- 开关模式电源 (SMPS)
- 不间断电源 (UPS)
- 功率因数校正 (PFC)
- 充电器
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- HoJLR1206-1W-1mR-1%
- HoJLR1206-1W-2mR-1%
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