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HRM65R400FF
N沟道 耐压:650V 电流:11A
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- 描述
- Super-junction MOSFET Gen I 根据SJ原理设计。该器件提供出色的栅极电荷和导通电阻（Rds(on)），可显著降低通信和传导损耗。因此，它非常适合用于AC/DC电源转换、笔记本电脑适配器、照明和工业电源应用。
- 品牌名称
- HRmicro(华瑞微)
- 商品型号
- HRM65R400FF
- 商品编号
- C2904137
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.745克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 11A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 400mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 31W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 22nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 803pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2.1pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 28.7pF |
商品特性
- 获得无铅产品认证
- 表面贴装封装
- 具有低导通电阻RDS(on)的P沟道开关
- 可在低逻辑电平栅极驱动下工作
- 栅极具备ESD保护
- 与TPM2008EP3互补
应用领域
- 负载/电源开关
- 接口开关
- 超小型便携式电子设备的电池管理
- 逻辑电平转换