我的订单购物车(0)联系客服帮助中心供应商合作嘉立创产业服务群
立创商城logo
全部商品
购物车0
HRM65R400FF实物图
  • HRM65R400FF商品缩略图
  • HRM65R400FF商品缩略图
  • HRM65R400FF商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

HRM65R400FF

N沟道 耐压:650V 电流:11A

SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
私有库下单最高享92折
描述
Super-junction MOSFET Gen I 根据SJ原理设计。该器件提供出色的栅极电荷和导通电阻(Rds(on)),可显著降低通信和传导损耗。因此,它非常适合用于AC/DC电源转换、笔记本电脑适配器、照明和工业电源应用。
品牌名称
HRmicro(华瑞微)
商品型号
HRM65R400FF
商品编号
C2904137
商品封装
TO-220F​
包装方式
管装
商品毛重
2.745克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)650V
连续漏极电流(Id)11A
导通电阻(RDS(on))400mΩ@10V
耗散功率(Pd)31W
阈值电压(Vgs(th))5V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)22nC@10V
输入电容(Ciss)803pF
反向传输电容(Crss)2.1pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)28.7pF

商品概述

650V 第一代超结 MOSFET 第一代超结 MOSFET 是根据超结原理设计的。该器件具备出色的栅极电荷和导通电阻 Rds(on),可大幅降低开关和导通损耗。因此,它非常适用于 AC/DC 电源转换、笔记本电脑适配器、照明和工业电源应用。

商品特性

  • 极低的品质因数 RDS(on) × Qg
  • 100% 雪崩测试
  • 超快体二极管
  • 易于使用/驱动
  • 符合 RoHS 标准

应用领域

  • 开关模式电源 (SMPS)
  • 不间断电源 (UPS)
  • 功率因数校正 (PFC)
  • 充电器

数据手册PDF