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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

HRT60N10D

60V N沟道功率MOSFET,电流:75A,耐压:60V

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描述
N沟道功率MOSFET采用先进的沟槽技术设计。该器件具有出色的栅极电荷和导通电阻,可降低开关和传导损耗。因此,它非常适合用于AC/DC电源转换、负载开关和工业电源应用。
品牌名称
HRmicro(华瑞微)
商品型号
HRT60N10D
商品编号
C2904136
商品封装
TO-252​
包装方式
编带
商品毛重
0.485克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)75A
导通电阻(RDS(on))10mΩ@10V
耗散功率(Pd)105W
阈值电压(Vgs(th))4V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)76nC@10V
输入电容(Ciss)4.938nF
反向传输电容(Crss)167pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)234pF

商品概述

采用先进沟槽技术设计的N沟道功率MOSFET。该器件具备出色的栅极电荷和导通电阻Rds(on),可大幅降低开关和传导损耗。因此,它非常适用于AC/DC电源转换、负载开关和工业电源应用。

商品特性

  • 低品质因数RDS(on) × Qgd
  • 100%雪崩测试
  • 易于使用/驱动
  • 符合RoHS标准

应用领域

-DC-DC转换器-电池充放电保护-负载开关-同步整流

数据手册PDF