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SI4948BEY-T1-GE3
2个P沟道 耐压:60V 电流:3.1A
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- 描述
- 特性：无卤，符合IEC 81249-2-21定义。 TrenchFET功率MOSFET。 符合RoHS指令2002/95/EC
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SI4948BEY-T1-GE3
- 商品编号
- C2903706
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.254克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 150mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.4W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 22nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | 3.7pF@30V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | P沟道 |
商品概述
- 用于逆变器-其他应用
商品特性
- N沟道
- P沟道
- VDS = 60 V
- VDS = -60 V
- ID = 4.4 A
- ID = -4.2 A
- VGS = 10 V，典型值37 mΩ
- VGS = -10 V，典型值53 mΩ
- VGS = 4.5 V，典型值43 mΩ
- VGS = -4.5 V，典型值60 mΩ
应用领域
- 逆变器
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