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AP75N04K
1个N沟道 耐压:40V 电流:75A
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- 描述
- AP75N04K采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻RDS(ON)。它可用于多种应用场景。
- 品牌名称
- ALLPOWER(铨力)
- 商品型号
- AP75N04K
- 商品编号
- C2903767
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.439克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 75A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 12mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 60W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 24nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.54nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 115pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- 低漏源导通电阻：RDS(ON) = 1.3 Ω（典型值）
- 高正向传输导纳：|Y_fs| = 3.0 S（典型值）
- 低漏电流：IDSS = 10 μA（最大值）（VDS = 500 V）
- 增强型模式：V_th = 2.4 至 4.4 V（VDS = 10 V，ID = 1 mA）