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G90N04
1个N沟道 耐压:45V 电流:90A
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- 描述
- N管，45V,90A,开启1.4V, 5mΩ@10V,5.6mΩ@4.5V
- 品牌名称
- GOFORD(谷峰)
- 商品型号
- G90N04
- 商品编号
- C337510
- 商品封装
- TO-252-2
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.405克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 45V | |
| 连续漏极电流(Id) | 90A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10mΩ@4.5V,8A | |
| 耗散功率(Pd) | 65W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 90nC@10V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 5nF@20V | |
| 反向传输电容(Crss) | 351pF@20V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
NCEP01T13A采用超级沟槽技术，该技术经过独特优化，可提供最高效的高频开关性能。由于漏源导通电阻和栅极电荷极低，导通和开关功率损耗均降至最低。该器件非常适合高频开关和同步整流。
商品特性
- VDS = 45V, ID = 90A
- RDS(ON) < 6 m Ω @ VGS = 10 V
- RDS(ON) < 10 m Ω @ VGS = 4.5 V
- 高密度单元设计,实现超低 RDS(ON)
- 雪崩电压和电流特性完全表征
- 高 EAS 下具有良好的稳定性和一致性
- 出色的封装,散热性能良好
- 采用特殊工艺技术,具备高ESD能力
应用领域
- 负载开关
- 硬开关和高频电路
- 不间断电源