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G80N03
1个N沟道 耐压:30V 电流:80A
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- 描述
- N管,30V,80A
- 品牌名称
- GOFORD(谷峰)
- 商品型号
- G80N03
- 商品编号
- C337509
- 商品封装
- TO-252-2
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.39克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 60W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 51nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.33nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 230pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 460pF |
商品概述
80N03采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻（RDS(ON)）。它可用于多种应用。
商品特性
- 漏源电压（VDS） = 30 V，漏极电流（ID） = 80 A
- 当栅源电压（VGS） = 10 V时，导通电阻（RDS(ON)） < 6 mΩ
- 高密度单元设计，实现极低的导通电阻（Rdson）
- 雪崩电压和电流特性完整
- 高单脉冲雪崩能量（EAS），稳定性和一致性良好
- 采用散热性能良好的封装
- 特殊工艺技术，具备高静电放电（ESD）能力
应用领域
- 电源开关应用
- 硬开关和高频电路
- 不间断电源