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G50N03A
1个N沟道 耐压:30V 电流:50A
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- 描述
- N管，30V,50A,开启1.4V, 6.2mΩ@10V, 10mΩ@4.5V
- 品牌名称
- GOFORD(谷峰)
- 商品型号
- G50N03A
- 商品编号
- C337508
- 商品封装
- TO-252-2
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.42克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10mΩ@4.5V,12.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 60W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 23nC@10V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 2nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 160pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
G50N03A采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻RDS(ON)。它可用于多种应用场景。
商品特性
- 高密度单元设计，实现超低导通电阻Rdson
- 雪崩电压和电流特性完全表征
- 高单脉冲雪崩能量，稳定性和一致性良好
- 采用散热性能良好的封装
- 特殊工艺技术，具备高静电放电(ESD)能力
应用领域
- 功率开关应用
- 硬开关和高频电路
- 不间断电源