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SDM100PL06SV
P沟道 耐压:60V 电流:3.4A
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- 描述
- 特性：低导通电阻。 低栅极电荷。 环保产品（符合RoHS标准），无铅。 100%进行UIS测试，100%进行Rg测试。 通过AEC-Q101认证
- 品牌名称
- SINEDEVICE(宇宏微)
- 商品型号
- SDM100PL06SV
- 商品编号
- C29780668
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.040167克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 100mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.25W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 17nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 835pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 33pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 41pF |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻（RDS(on)）。它可用于多种应用场景。
商品特性
- 漏源电压（VDS） = 60V，漏极电流（ID） = 20A，当栅源电压（VGS） = 10V时，导通电阻（RDS(ON)） < 36mΩ
- 低栅极电荷。
- 提供环保型器件。
- 采用先进的高单元密度沟槽技术，实现超低导通电阻（RDS(ON)）。
- 采用散热性能良好的优质封装。