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SDM021NU02S
N沟道 耐压:20V 电流:6.5A
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- 描述
- 特性：出色的导通电阻。 低栅极电荷。 高电流能力。 符合RoHS标准的绿色产品
- 品牌名称
- SINEDEVICE(宇宏微)
- 商品型号
- SDM021NU02S
- 商品编号
- C29780688
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0411克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 15mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.3W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 700mV@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 9.5nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 30pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 13pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 10pF |
商品特性
- 低栅极电荷
- 高电流能力
- 增强型体二极管性能
- 绿色产品（符合RoHS标准），无铅
- 100% 非钳位感性开关（UIS）测试，100% 栅极电阻（Rg）测试
- 通过AEC-Q101认证