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SDM021G10K2D
N沟道 耐压:100V 电流:31A
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- 描述
- 特性：低导通电阻（RDS(ON)）。 低栅极电荷。 高电流能力。 环保产品（符合RoHS标准），无铅。 100%进行UIS测试和Rg测试。 通过AEC-Q101认证
- 品牌名称
- SINEDEVICE(宇宏微)
- 商品型号
- SDM021G10K2D
- 商品编号
- C29780689
- 商品封装
- PDFN-8L-D(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.215567克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 31A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 21mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 39W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 12.9nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 771pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 5.3pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 173pF |