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SDM56AG04LV
N沟道 耐压:40V 电流:55A
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- 描述
- 特性：超低导通电阻RDS(ON)。 低栅极电荷。 高电流能力。 增强型体二极管性能。 绿色产品（符合RoHS标准）；100%无铅。 100%进行UIS测试，100%进行Rg测试。 通过AEC-Q101认证
- 品牌名称
- SINEDEVICE(宇宏微)
- 商品型号
- SDM56AG04LV
- 商品编号
- C29780698
- 商品封装
- PDFN3.3x3.3-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.10604克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 55A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.6mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 28W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 17.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.203nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 51pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 535pF |
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