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SDM34AG10K
N沟道 耐压:100V 电流:135A
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- 描述
- 特性：超低导通电阻。 低栅极电荷。 高电流能力。 增强型体二极管性能。 绿色产品（符合RoHS标准），无铅。 100%进行UIS测试，100%进行栅极电阻测试
- 品牌名称
- SINEDEVICE(宇宏微)
- 商品型号
- SDM34AG10K
- 商品编号
- C29780671
- 商品封装
- PDFN-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.18012克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 135A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.4mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 114W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 79nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.647nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 5.9pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.215nF |
商品特性
- 超低漏源导通电阻（RDS(ON)）
- 低栅极电荷
- 高电流承载能力
- 增强型体二极管性能
- 绿色产品（符合RoHS标准），无铅
- 100%进行UIS测试，100%进行Rg测试