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SDM005G06K
N沟道 耐压:60V 电流:97A
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- 品牌名称
- SINEDEVICE(宇宏微)
- 商品型号
- SDM005G06K
- 商品编号
- C29780667
- 商品封装
- PDFN5x6-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.212733克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 97A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 78W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 33nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.031nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 4.5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 447pF |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(on)。它可用于多种应用场景。
商品特性
- 低漏源导通电阻RDS(ON)
- 低栅极电荷
- 高电流承载能力
- 绿色产品(符合RoHS标准),无铅
- 100% 单脉冲雪崩能量测试,100% 栅极电阻测试