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SDM040P02S
P沟道 耐压:20V 电流:4.1A
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- 描述
- 特性：出色的导通电阻（RDS(ON)）。 低栅极电荷。 高电流能力。 绿色产品（符合RoHS标准），无铅。 通过AEC-Q101认证
- 品牌名称
- SINEDEVICE(宇宏微)
- 商品型号
- SDM040P02S
- 商品编号
- C29780509
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.040967克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 40mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 900mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 900mV@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 11nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.207nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 71pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 125pF |
商品特性
- 根据IEC 61249 - 2 - 21定义为无卤产品
- 沟槽功率MOSFET
- 经过100%单脉冲雪崩耐量（UIS）测试
- 经过100%抗振铃（Rq）测试
- 符合RoHS指令2002/95/EC
应用领域
- 机顶盒-低电流DC/DC转换器