HM75N75-VB
N沟道 耐压:80V 电流:100A
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- 描述
- TO220;N—Channel沟道,80V;100A;RDS(ON)=7mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=2~3.5V;
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- HM75N75-VB
- 商品编号
- C29778820
- 商品封装
- TO-220AB
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.35克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7mΩ@10V;9mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 180W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 35.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.855nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 376pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.12nF |
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