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HUFA75309T3ST-VB
N沟道 耐压:60V 电流:7A
- 描述
- SOT223；N—Channel沟道,60V；7A；RDS(ON)=28mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- HUFA75309T3ST-VB
- 商品编号
- C29778825
- 商品封装
- SOT-223
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.25克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 33mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.3W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 27nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | 5.3pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- 符合 IEC 61249-2-21 定义的无卤要求
- 沟槽功率 MOSFET
- 最高结温 175 °C
- 符合 RoHS 指令 2002/95/EC
应用领域
- 服务器和电信电源-开关模式电源 (SMPS)-功率因数校正电源 (PFC)-照明-高强度气体放电灯 (HID)-荧光灯镇流器照明-工业领域
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