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IPB038N12N3G-VB
N沟道 耐压:100V 电流:140A
- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；TO263；N—Channel沟道,150V；140A；RDS(ON)=5mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2.5~4.5V；采用SGT技术
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- IPB038N12N3G-VB
- 商品编号
- C29778828
- 商品封装
- TO-263
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1.65克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 140A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.4mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 375W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 110nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.5nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 280pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 750pF |
交货周期
订货9-11个工作日购买数量
(1个/管，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个1个/管
总价金额：
￥ 0.00近期成交1单
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