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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

BSS84DW_R1_00001

P沟道 耐压:50V 电流:130mA

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描述
该器件包含两个电气隔离的P沟道增强型MOSFET,采用非常小的SOT - 363(SC70 - 6L)封装。该器件非常适合印刷电路板空间宝贵的便携式应用。
品牌名称
PANJIT(强茂)
商品型号
BSS84DW_R1_00001
商品编号
C2901418
商品封装
SOT-363(SC-70-6L)​
包装方式
编带
商品毛重
0.026克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量2个P沟道
漏源电压(Vdss)50V
连续漏极电流(Id)130mA
导通电阻(RDS(on))10Ω@5V
耗散功率(Pd)200mW
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))2V
输入电容(Ciss)45pF
反向传输电容(Crss)12pF
工作温度-55℃~+150℃
类型P沟道
输出电容(Coss)25pF

商品特性

  • 低导通电阻
  • 低栅极阈值电压
  • 快速开关
  • 符合欧盟RoHS 2011/65/EU指令的无铅产品
  • 符合IEC61249标准的环保模塑料(无卤)

应用领域

  • 开关电源
  • 手持电脑、个人数字助理(PDA)

数据手册PDF