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BSS84DW_R1_00001
P沟道 耐压:50V 电流:130mA
- 描述
- 该器件包含两个电气隔离的P沟道增强型MOSFET，采用非常小的SOT - 363（SC70 - 6L）封装。该器件非常适合印刷电路板空间宝贵的便携式应用。
- 品牌名称
- PANJIT(强茂)
- 商品型号
- BSS84DW_R1_00001
- 商品编号
- C2901418
- 商品封装
- SOT-363(SC-70-6L)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.026克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 50V | |
| 连续漏极电流(Id) | 130mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10Ω@5V | |
| 耗散功率(Pd) | 200mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V@1mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 45pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 12pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 25pF |
交货周期
订货7-9个工作日购买数量
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起订量：3000 个3000个/圆盘
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