温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
PJE8404_R1_00001
N沟道增强型MOSFET 1个N沟道 耐压:30V 电流:0.6A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 特性：RDS(ON)，VGS@4.5V，ID@0.6A < 220mΩ。 RDS(ON)，VGS@2.5V，ID@0.4A < 290mΩ。 RDS(ON)，VGS@1.8V，ID@0.1A < 600mΩ。 先进的沟槽工艺技术。 专为开关负载、PWM应用等设计。 ESD防护2KV HBM。 符合欧盟RoHS 2011/65/EU指令的无铅产品。 符合IEC61249标准的绿色模塑料（无卤素）
- 品牌名称
- PANJIT(强茂)
- 商品型号
- PJE8404_R1_00001
- 商品编号
- C2902551
- 商品封装
- SOT-523
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.019克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 600mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 600mΩ@1.8V | |
| 耗散功率(Pd) | 300mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 1.5nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 93pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 6pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 19pF |
商品特性
- 当VGS为10 V、ID为500 mA时，RDS(ON) < 1.6 Ω
- 当VGS为4.5 V、ID为200 mA时，RDS(ON) < 2.5 Ω
- 当VGS为2.5 V、ID为100 mA时，RDS(ON) < 4.5 Ω
- 先进的沟槽工艺技术。
- 静电放电（ESD）保护达2 KV人体模型（HBM）
- 符合欧盟RoHS2.0（2011/65/EU和2015/865/EU指令）的无铅产品
- 符合IEC61249标准的绿色模塑料（无卤素）
其他推荐
- RS1DWG_R1_00001
- S210L_R1_00001
- SB2045LFCT_T0_00001
- SBM3045VCT_T0_00001
- SBT10150LFCT_T0_00001
- SBT20150LFCT_T0_00001
- SK24-AU_R1_00001
- STM32F402VCT6
- NCEP039N10M
- CC6901SO-20A
- EGW2CM101W20C36T
- EGW2CM221L25C36T
- EGW2DM221M25OT
- EGW2EM150G12C30T
- EGW2EM010E09C50T
- EGW2EM4R7E12C36T
- EGW2VM560K25C36T
- EGW2GM330K20OT
- EGW2GM4R7F12C36T
- EGW2WM560M25OT
- AR03BTCX1052