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PJE8405_R1_00001
P沟道增强型MOSFET 1个P沟道 耐压:30V 电流:0.5A
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- 描述
- 特性：RDS(ON)，VGS@-4.5V，ID@-0.5A < 390mΩ。 RDS(ON)，VGS@-2.5V，ID@-0.3A < 560mΩ。 RDS(ON)，VGS@-1.8V，ID@-0.1A < 990mΩ。 先进的沟槽工艺技术。 专为开关负载、PWM应用等设计。 ESD防护2KV HBM。 符合欧盟RoHS 2011/65/EU指令的无铅产品。 符合IEC61249标准的绿色模塑料（无卤）
- 品牌名称
- PANJIT(强茂)
- 商品型号
- PJE8405_R1_00001
- 商品编号
- C2902550
- 商品封装
- SOT-523
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.019克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 500mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 990mΩ@1.8V | |
| 耗散功率(Pd) | 300mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.3V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 1.6nC@15V | |
| 输入电容(Ciss) | 137pF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 10pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品特性
- 漏源电压（VDS） = 20 V，漏极电流（ID） = 90 A
- 栅源电压（VGS） = 4.5V 时，导通电阻（RDS(ON)）为 6mΩ（典型值）
- 采用高密度单元设计，实现极低的导通电阻（Rdson）
- 雪崩电压和电流特性完全表征
- 具有高单脉冲雪崩能量（EAS），稳定性和一致性良好
- 采用优秀的封装，散热性能良好
应用领域
- 负载开关-硬开关和高频电路-不间断电源
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