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RU30D20M3实物图
  • RU30D20M3商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

RU30D20M3

耐压:30V 电流:20A

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描述
保持电流:3A 最大电压:24V
商品型号
RU30D20M3
商品编号
C2894331
商品封装
DFN3030-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.106克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量2个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)20A
导通电阻(RDS(on))14mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)16W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))2.5V
栅极电荷量(Qg)18nC@10V
输入电容(Ciss)930pF
反向传输电容(Crss)-
工作温度-55℃~+150℃
输出电容(Coss)230pF

商品概述

这款MOSFET专为满足汽车应用的严格要求而设计。它符合AEC-Q101标准,具备生产件批准程序(PPAP)支持,非常适合用于以下场景:

  • 背光照明
  • 电源管理功能
  • DC-DC转换器

商品特性

  • 30V/20A
  • 当VGS = 10V时,RDS(ON) = 8.5mΩ(典型值)
  • 当VGS = 4.5V时,RDS(ON) = 11.5mΩ(典型值)
  • 采用瑞驰半导体先进的沟槽技术
  • 出色的Qg x RDS(on)乘积(品质因数)
  • 可靠耐用,经过100%雪崩测试
  • 提供无铅环保器件(符合RoHS标准)

应用领域

  • 开关应用系统
  • 服务器板载电源
  • 同步整流

数据手册PDF