U5315
大电流IO ±1.0/1.2A三相桥式驱动器
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- 描述
- U5315 - 6T(Q)是一款高速三相栅极驱动器,适用于功率MOSFET和IGBT器件,具有三个独立的高端和低端参考输出通道。内置死区时间保护和直通保护功能,可防止半桥损坏。欠压锁定(UVLO)电路可在VCC和VBS低于指定阈值电压时防止出现故障
- 品牌名称
- UNI-SEMIC(宇力半导体)
- 商品型号
- U5315
- 商品编号
- C2892899
- 商品封装
- TSSOP-20
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.162克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 驱动配置 | 全桥 | |
| 负载类型 | MOSFET;IGBT | |
| 驱动通道数 | 6 | |
| 灌电流(IOL) | 1A | |
| 拉电流(IOH) | 1.2A | |
| 工作电压 | 4.5V~20V | |
| 上升时间(tr) | 37ns | |
| 下降时间(tf) | 30ns |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 传播延迟 tpLH | 380ns | |
| 传播延迟 tpHL | 180ns | |
| 特性 | 欠压保护(UVP);短路保护(SCP) | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | |
| 输入高电平(VIH) | - | |
| 输入低电平(VIL) | - | |
| 静态电流(Iq) | 250uA | |
| 功能特性 | 内置自举二极管;交错导通保护;死区时间控制 |
商品概述
U5315-6T(Q)是一款用于功率MOSFET和IGBT器件的高速三相栅极驱动器,具有三个独立的高侧和低侧参考输出通道。内置的死区保护和击穿保护可防止半桥损坏。欠压锁定电路可在VCC和VBS低于指定阈值电压时防止误操作。采用新颖的高压BCD工艺和共模噪声消除技术,可在高dV/dt噪声条件下实现高侧驱动器的稳定运行,同时具备出色的负瞬态电压耐受能力。包含低功耗设计,可使用待机模式将芯片设置为低静态电流状态,以实现长电池寿命。
商品特性
- 集成DBOOT(1)
- 为自举操作设计的浮动通道
- 完全工作至+280V
- 耐受负瞬态电压
- 栅极驱动电源范围从5V U5316T(Q) /7.5V U5315T(Q)至20V
- 独立的3个半桥驱动器
- 低侧输出与输入反相。高侧输出反相
- 3.3V逻辑兼容
- 较低的di/dt栅极驱动以获得更好的抗噪性
应用领域
- 电动自行车/电动工具三相电机驱动
- 电池供电的小型/微型电机控制
- 通用逆变器
- B57236S0121M051
- B57238S0509M000
- B72225S4321K105
- B88069X4651S102
- B88169X1339B201
- B88169X2044B502
- INA214AIDCKR-S
- TPS53622ARSBR
- TPS53623RSMR
- LM285DR-2.5
- MX25V1606FM2I03
- MX30LF1G28AD-TI
- MX30LF2G28AD-TI
- MX30LF4G28AD-TI
- TLV9154IPWR
- CBM1764DT-ADJ-REEL
- CBM1764DT-1.5-REEL
- CBM1764DT-1.8-REEL
- CBM1764DT-2.5-REEL
- FL2D-30-103
- RTL8761AT-CG


