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2N65G
1个N沟道 耐压:650V 电流:2A
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- 描述
- 特性：VDS(V)=650V。 I=2A。 RDS(ON)=5.5Ω
- 品牌名称
- UMW(友台半导体)
- 商品型号
- 2N65G
- 商品编号
- C2889159
- 商品封装
- SOT-223
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.222克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.5Ω@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 14.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 311pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
优惠活动
购买数量
(2500个/圆盘，最小起订量 5 个)个
起订量：5 个2500个/圆盘
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