TLE207x系列JFET输入运算放大器的带宽是TL07x和TL08x系列BiFET运算放大器的两倍多，压摆率是它们的三倍多。典型本底噪声为11.6 nV/√Hz，最大保证值为17 nV/√Hz，相比使用TL07x设计的噪声敏感电路有显著改善。TLE207x还具有更宽的电源电压轨，将BiFET电路的动态信号范围扩大到±19 V。片上齐纳微调失调电压可实现精密等级，提高直流耦合应用的精度。TLE207x与性能较低的BiFET运算放大器引脚兼容，便于在现有设计中提升性能。 BiFET运算放大器具有JFET输入晶体管固有的高输入阻抗，同时不牺牲与双极放大器相关的输出驱动能力。这使其更适合与高阻抗传感器或极低电平交流信号接口。与具有可比功耗的双极或CMOS器件相比，它们还具有更好的交流响应特性。 TLE207x系列BiFET放大器是高性能BiFET，具有更严格的输入失调电压和保证的最大噪声规格。对于规格要求不那么严格，但希望获得TLE207x改进的交流特性的设计师，可考虑TLE208x运算放大器系列。由于BiFET运算放大器设计用于双电源供电，因此在单电源供电时，必须注意共模输入电压限制和输出摆幅。需要对输入信号进行直流偏置，负载应端接至电源中点的虚拟地节点。在单电源供电下使用BiFET放大器时，TLE2426集成虚拟地发生器很有用。 TLE207x在±15 V和±5 V下进行了全面规格测试。对于低压和/或单电源系统中的应用，建议使用LinCMOS系列运算放大器（TLC和TLV前缀）。从BiFET放大器转换为CMOS放大器时，应特别注意压摆率、带宽要求和输出负载。

	属性	参数值
	商品目录	FET输入运放
	放大器数	双路
	增益带宽积(GBP)	9.4MHz
	输入偏置电流(Ib)	5nA
	输入失调电压(Vos)	340uV
	共模抑制比(CMRR)	70dB
	压摆率(SR)	35V/us
	静态电流(Iq)	1.35mA

	属性	参数值
	轨到轨	-
	输入失调电压温漂(Vos TC)	3.2uV/℃
	输出电流	45mA
	工作温度	-40℃~+85℃
	双电源(Vee ~ Vcc)	-19V~19V
	最大电源宽度(Vdd-Vss)	38V
	噪声密度(eN)	17nV/√Hz@1kHz

TLE2072IDR

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