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GL100N03A4
N沟道,电流:100A,耐压:30V
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- 品牌名称
- GL(光磊)
- 商品型号
- GL100N03A4
- 商品编号
- C2886419
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.433克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 5.5mΩ@10V,50A | |
| 功率 | 105W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 3V@250uA | |
| 栅极电荷(Qg@Vgs) | 38nC@10V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 4.5nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss@Vds) | 540pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
GL40N10A4采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的RDS(ON)。它可用于多种应用。封装形式为TO - 252，符合RoHS标准。
商品特性
- 在VGS = 10 V时,RDS(ON) < 5.5 mΩ(典型值4.1mΩ)
- 高密度单元设计,实现超低Rdson
- 雪崩电压和电流特性完全表征
- 出色的封装,散热性能良好
应用领域
- 电源开关应用
- 硬开关和高频电路
- 不间断电源
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