我的订单购物车(0)联系客服帮助中心供应商合作嘉立创产业服务群
领券中心备货找料立推专区爆款推荐TI订货PLUS会员BOM配单工业品PCB/SMT面板定制
GL30N03A4实物图
  • GL30N03A4商品缩略图
  • GL30N03A4商品缩略图
  • GL30N03A4商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

GL30N03A4

N沟道,电流:30A,耐压:30V

SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
品牌名称
GL(光磊)
商品型号
GL30N03A4
商品编号
C2886417
商品封装
TO-252-2​
包装方式
编带
商品毛重
0.424克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)30A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)10mΩ@10V,20A
功率(Pd)40W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th)@Id)1.5V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)17.5nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)938pF@15V
反向传输电容(Crss@Vds)99pF@15V
工作温度-55℃~+175℃

商品概述

GL80N06A4采用先进的沟槽技术和设计,在低栅极电荷的情况下提供出色的漏源导通电阻(RDS(ON))。它可用于多种应用场景。封装形式为TO - 252,符合RoHS标准。

商品特性

  • 栅源电压(VGS) = 10 V时,漏源导通电阻(RDS(ON)) < 8.5 mΩ(典型值6 mΩ)
  • 高密度单元设计,实现超低漏源导通电阻(Rdson)
  • 雪崩电压和电流特性完全表征
  • 出色的封装,散热性能良好

应用领域

  • 电源开关应用
  • 硬开关和高频电路
  • 不间断电源

数据手册PDF