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GL40N10A4
1个N沟道 耐压:100V 电流:40A
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- 描述
- GL40N10A4采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻RDS(ON)。它可用于多种应用场景。其封装形式为TO - 252，符合RoHS标准
- 品牌名称
- GL(光磊)
- 商品型号
- GL40N10A4
- 商品编号
- C2886415
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.432克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 40A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 17mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 140W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 94nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.4nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 221pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
GL200N06A8采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)。它可用于多种应用。其封装形式为TO - 220AB，符合RoHS标准。
商品特性
- 快速开关
- 低栅极电荷和导通电阻Rdson
- 低反向传输电容
- 100%单脉冲雪崩能量测试
应用领域
- 功率开关应用-硬开关和高频电路-不间断电源
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