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GL20N10B4S
N沟道,电流:20A,耐压:100V
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- 品牌名称
- GL(光磊)
- 商品型号
- GL20N10B4S
- 商品编号
- C2886413
- 商品封装
- TO-252-2
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.44克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 75mΩ@10V,10A | |
| 功率(Pd) | 45W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 3V@250uA | |
| 栅极电荷(Qg@Vgs) | 7nC@10V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 410pF@50V | |
| 反向传输电容(Crss@Vds) | 3pF@50V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
GL20N10B4S采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷的情况下提供出色的RDS(ON)。它可用于各种应用场景。其封装形式为TO - 252,符合RoHS标准。
商品特性
- 快速开关
- 低栅极电荷和低导通电阻
- 低反向传输电容
- 100%单脉冲雪崩能量测试
应用领域
-电源开关应用-硬开关和高频电路-不间断电源
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