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GL10N10B4S
1个N沟道 耐压:100V 电流:10A
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- 描述
- GL10N10B4S采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)。它可用于多种应用场景。该器件采用TO - 252封装形式，符合RoHS标准
- 品牌名称
- GL(光磊)
- 商品型号
- GL10N10B4S
- 商品编号
- C2886410
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.437克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 140mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 40W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 4nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 255pF | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 14pF |
商品概述
GL4435-8采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的漏源导通电阻（RDS(ON)），适用于多种应用。其封装形式为SOP-8，符合RoHS标准。
商品特性
- 栅源电压（VGS） = 10 V时，漏源导通电阻（RDS(ON)） < 30 mΩ（典型值20 mΩ）
- 高密度单元设计，实现超低漏源导通电阻（Rdson）
- 雪崩电压和电流特性完全表征
- 散热性能良好的优质封装
应用领域
-电源开关应用-硬开关和高频电路-不间断电源
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