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场效应管(MOSFET)
Q4459
引脚图
此图展示了型号为 Q4459 的引脚布局
焊盘图
此图展示了型号为 Q4459 的焊盘布局
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对比
Q4459
P沟道,电流:-9A,耐压:-30V
SMT
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品牌名称
GL(光磊)
商品型号
Q4459
商品编号
C2886406
商品封装
SOP-8
包装方式
编带
商品毛重
0.124克(g)
数据手册
商品参数
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属性
参数值
商品目录
场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)
30V
连续漏极电流(Id)
9A
导通电阻(RDS(on))
35mΩ@10V,6.5A
耗散功率(Pd)
3.1W
属性
参数值
阈值电压(Vgs(th))
-
栅极电荷量(Qg)
30nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)
1.6nF@0V
反向传输电容(Crss)
300pF@15V
工作温度
-55℃~+155℃
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