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BSS84
P沟道 耐压:60V 电流:130mA
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- 描述
- 特性：专为高速脉冲放大器和驱动应用设计。 采用高密度单元设计，实现低导通电阻RDS(ON)。 电压控制小信号开关。 高饱和电流能力。 无铅和无卤
- 品牌名称
- PSI(宝力芯)
- 商品型号
- BSS84
- 商品编号
- C2875454
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.034克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 130mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.4Ω@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 225mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 30pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 10pF |
商品概述
TPS1101是一款单通道、低导通电阻rDS(on)、P沟道增强型MOSFET。该器件通过LinBiCMOSTM工艺，针对电池供电系统中的3V或5V电源分配进行了优化。TPS1101的最大栅源阈值电压VGS(th)为 -1.5V，漏源截止电流IDSS仅为0.5μA，是低压便携式电池管理系统中理想的高端开关，此类系统首要关注的是延长电池使用寿命。TPS1101的低导通电阻rDS(on)和出色的交流特性（典型上升时间为5.5ns），使其成为低压开关应用的合理选择，如脉宽调制（PWM）控制器或电机/桥接驱动器的电源开关。 超薄薄型收缩小外形封装（TSSOP (PW)）版本适用于对高度有严格限制的场合，而其他P沟道MOSFET无法满足此类要求。在电路板高度受限，无法使用小外形集成电路（SOIC）封装的情况下，尺寸优势尤为重要。
商品特性
- 低导通电阻rDS(on)：VGS = -10V时典型值为0.09Ω
- 3V兼容
- 无需外部VCC
- TTL和CMOS兼容输入
- 最大栅源阈值电压VGS(th) = -1.5V
- 提供超薄TSSOP封装（PW）
- 静电放电（ESD）保护能力高达2kV（符合MIL - STD - 883C方法3015标准）
应用领域
- 笔记本电脑
- 个人数字助理（PDA）
- 移动电话
- PCMCIA卡