- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
SN74SSTV16859DGGR
SN74SSTV16859DGGR
- 描述
- SN74SSTV16859 具有 SSTL_2 输入和输出的 200MHz、13 位至 26 位寄存缓冲器
- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 商品型号
- SN74SSTV16859DGGR
- 商品编号
- C2865234
- 商品封装
- TSSOP-64-6.1mm
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.32克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 移位寄存器 | |
| 灌电流(IOL) | 20mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 拉电流(IOH) | 20mA | |
| 功能特性 | 异步清零功能 |
商品概述
这是一款13位转26位寄存缓冲器，型号为SN74SSTV16859，设计用于2.3V至2.7V VCC工作，除复位输入外所有输入均为SSTL_2电平，所有输出均兼容SSTL_2 II类标准，采用差分时钟驱动，数据在CLK上升沿和CLK下降沿交叉处锁存，复位输入必须始终保持在有效逻辑高电平或低电平。
商品特性
- 1对2输出架构，支持堆叠DDR DIMM
- 支持SSTL_2数据输入
- 输出符合SSTL_2 II类规范
- 配备差分时钟输入
- 复位输入支持LVCMOS开关电平
- 复位输入可禁用差分输入接收器，复位所有寄存器，强制所有输出为低电平
- 引脚布局优化DIMM PCB布线
- 闩锁性能超过100mA，符合JESD 78 II类标准
- ESD防护性能符合JESD 22标准，可承受2000V人体模型测试、200V机器模型测试
- 支持低功耗待机操作
- 复位为低电平时，允许未驱动浮空的数据、时钟和参考电压输入
- 上电过程中需将复位保持在低电平，以确保稳定时钟供给前寄存器输出状态明确
- RGQ封装的中心裸片焊盘必须连接接地
- 电源电压额定范围：-0.5V 至 3.6V
- 输入电压额定范围：-0.5V 至 VCC+0.5V
- 输出电压额定范围：-0.5V 至 VDDQ+0.5V
- 输入钳位电流为-50mA
- 连续输出电流范围：±50mA
- 每个VCC、VDDQ或接地引脚的连续电流范围：±100mA
- DGG封装热阻抗为55℃/W，RGQ封装热阻抗为22℃/W
- 存储温度范围：-65℃ 至 150℃
应用领域
- 堆叠DDR DIMM