BQ2205LYPWR
3.3V SRAM电源监控与开关控制器
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- 描述
- BQ2205LY 适用于双 SRAM 组的电池备份监控器
- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 商品型号
- BQ2205LYPWR
- 商品编号
- C2861338
- 商品封装
- TSSOP-16
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.183克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 存储器控制器 | |
| 存储器控制器类型 | SRAM | |
| 工作电压 | 3V~3.6V | |
| 工作温度 | -20℃~+70℃ |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 通道数 | 2 | |
| 工作电流 | 210uA;500uA | |
| 电池电流 | 50nA;150nA | |
| 功能特性 | - |
商品概述
bq2205是用于3.3V SRAM的功耗监测与开关控制器,属于CMOS SRAM非易失性控制器,带复位功能,可提供将1组或2组标准CMOS SRAM转换为非易失性读写存储器所需的全部功能。内置精密比较器监测3.3V VCC输入的超差状况,检测到超差时,会强制两个经调理的片选输出变为无效,对两组SRAM进行写保护;当VCC下降时,外部SRAM的供电VOUT会从VCC电源切换到电池备份电源,再次上电时,VOUT会自动从备份电源切换回VCC电源,外部SRAM在电源有效之前一直保持写保护,复位输出可为系统提供掉电和上电复位;提供备份电源输入接口,可外接3V不可充电原电池;bank选择输入A通常可连接到高位地址引脚,可使用低密度存储器件构建大容量非易失性存储器,通过硬件连接实现非易失性和译码功能,复位输出可作为微处理器的上电复位,复位输出返回无效状态后才可开始访问外部RAM;内置有限的ESD保护,存储或操作器件时需防范静电损坏MOS栅极。
商品特性
- 可为SRAM非易失性控制提供功耗监测与开关功能
- 输入译码器支持控制1组或2组SRAM存储体
- 具备写保护控制功能
- 支持3V原电池输入
- 支持3.3V工作电压
- 带有可用于系统上电复位的复位输出
- 片选传播延迟小于20ns
- 采用小型16引脚TSSOP封装
- 内置精密比较器监测VCC输入状态
- 可自动切换SRAM供电电源,掉电切换到电池备份电源,上电自动切回主电源
- 外部SRAM在电源达到有效状态前保持写保护
- 内置有限ESD保护,防范静电损坏器件
应用领域
- NVSRAM模块
- 销售点系统
- 传真机、打印机和复印机
- 互联网设备
- 服务器
- 医疗仪器
- 工业产品


