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NCE30P50G
1个P沟道 耐压:30V 电流:50A
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- 描述
- NCE30P50G采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷下提供出色的 $\mathsf{R_{DS(ON)}}$。它可用于多种应用。
- 品牌名称
- NCE(无锡新洁能)
- 商品型号
- NCE30P50G
- 商品编号
- C326370
- 商品封装
- PDFN-8(5.8x4.9)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.15克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 35W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 8nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.59nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 665pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 695pF |
商品概述
NCE30P50G采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的RDS(ON)。它可用于多种应用场景。
商品特性
- VDS = -30V，ID = -50A
- 当VGS = -10V时，RDS(ON) < 7 mΩ
- 高密度单元设计，实现超低Rdson
- 具有完整的雪崩电压和电流特性
- 高EAS，稳定性和一致性良好
- 采用出色的封装，散热性能良好
- 采用特殊工艺技术，具备高ESD能力
应用领域
- 电池和负载开关
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