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NCE65T260K

1个N沟道 耐压:650V 电流:15A

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描述
该系列器件采用先进的沟槽栅超结技术和设计,可在低栅极电荷的情况下提供出色的RDS(ON)。这款超结MOSFET符合行业对PFC、AC/DC电源转换和工业电源应用的AC-DC SMPS要求。
商品型号
NCE65T260K
商品编号
C326373
商品封装
TO-252​
包装方式
编带
商品毛重
0.47克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)650V
连续漏极电流(Id)15A
导通电阻(RDS(on))260mΩ@10V
耗散功率(Pd)131W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))4V@250uA
栅极电荷量(Qg)42nC@10V
输入电容(Ciss)1.4nF@50V
反向传输电容(Crss)0.2pF@480V
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道

数据手册PDF

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(2500个/圆盘,最小起订量 1 个)
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