温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
NCE60P12K
1个P沟道 耐压:60V 电流:12A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- NCE60P12K采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻（RDS(ON)）。该器件非常适合大电流负载应用。
- 品牌名称
- NCE(无锡新洁能)
- 商品型号
- NCE60P12K
- 商品编号
- C326372
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.557克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 100mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 60W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 37.6nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.6307nF@30V | |
| 反向传输电容(Crss) | 77.3pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | P沟道 |
优惠活动
购买数量
(2500个/圆盘，最小起订量 5 个)个
起订量：5 个2500个/圆盘
总价金额：
￥ 0.00近期成交100+单
相似推荐
其他推荐