NCE60P12K
1个P沟道 耐压:60V 电流:12A
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- 描述
- NCE60P12K采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻(RDS(ON))。该器件非常适合大电流负载应用。
- 品牌名称
- NCE(无锡新洁能)
- 商品型号
- NCE60P12K
- 商品编号
- C326372
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.557克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 100mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 60W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 37.6nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.6307nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 77.3pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品概述
NCE60P12K采用先进的沟槽技术和设计,可提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。该器件非常适合大电流负载应用。
商品特性
- VDS = -60V,ID = -12A
- 在VGS = -10V时,RDS(ON) < 100 mΩ
- 在VGS = -4.5V时,RDS(ON) < 125 mΩ
- 采用高密度单元设计,实现超低Rdson
- 雪崩电压和电流特性全面表征
- 具有高EAS,稳定性和一致性良好
- 采用出色的封装,散热性能良好
应用领域
- 全桥转换器的高端开关
- LCD显示器的DC/DC转换器
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