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NCE3080IA
1个N沟道 耐压:30V 电流:80A
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- 描述
- NCE3080IA采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻（Rds(ON)）。它可用于多种应用场景。
- 品牌名称
- NCE(无锡新洁能)
- 商品型号
- NCE3080IA
- 商品编号
- C326369
- 商品封装
- TO-251
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.589克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.5mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 83W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.4V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
这款N沟道MOSFET专为提高使用同步或传统开关PWM控制器的DC/DC转换器的整体效率而设计。它针对低栅极电荷、低漏源导通电阻（RDS(ON)）和快速开关速度进行了优化。
商品特性
- VDS = 30V,ID = 80A
- RDS(ON) < 6.5 m Ω(VGS = 10 V 时)
- RDS(ON) < 10 m Ω(VGS = 5 V 时)
- 高密度单元设计,实现超低 RDS(ON)
- 雪崩电压和电流特性完全表征
- 高 EAS 下具有良好的稳定性和一致性
- 出色的封装,利于散热
应用领域
- 电源开关应用
- 硬开关和高频电路
- 不间断电源