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TK10A60D(STA4,X,S)
1个N沟道 耐压:600V 电流:10A
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- 描述
- 特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 0.58Ω (典型值)。 高正向传输导纳：|Yfs| = 6.0S (典型值)。 低泄漏电流：IDSS = 10μA (最大值) (VDS = 600V)。 增强模式：Vth = 2.0V-4.0V (VDS = 10V, ID = 1mA)
- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- TK10A60D(STA4,X,S)
- 商品编号
- C2848495
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.31克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 750mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 45W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@1mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 16nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.35nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 6pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 135pF |
商品特性
- 低漏源导通电阻：漏源导通电阻（典型值）为0.7 Ω
- 高正向传输导纳：正向传输导纳的绝对值（典型值）为4.0 S
- 低漏电流：漏源短路时的漏极电流（最大值）为10 μA（漏源电压为500 V时）
- 增强模式：阈值电压为2.0至4.0 V（漏源电压为10 V，漏极电流为1 mA时）
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