TK8A50D(STA4,X,M)
1个N沟道 耐压:500V 电流:8A
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- 描述
- 特性:低漏源导通电阻:RDS(ON)=0.7Ω(典型值)。 高正向传输导纳:|Yfs| = 4.0S(典型值)。 低泄漏电流:IDSS = 10μA(最大值)(VDS = 500V)。 增强模式:Vth = 2.0V-4.0V (VDS = 10V, ID = 1mA)
- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- TK8A50D(STA4,X,M)
- 商品编号
- C2848496
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.645克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 850mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 40W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@1mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 16nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 800pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 4pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 100pF |
商品概述
G86N03采用先进的沟槽技术和设计,在低栅极电荷的情况下提供出色的漏源导通电阻(RDS(ON))。它可用于多种应用。
商品特性
- 高密度单元设计,实现超低导通电阻(Rdson)
- 对雪崩电压和电流进行了全面表征
- 具有高雪崩能量(EAS),稳定性和一致性良好
- 封装散热性能出色
应用领域
-功率开关应用-硬开关和高频电路-不间断电源
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