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TK8A50D(STA4,X,M)实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

TK8A50D(STA4,X,M)

1个N沟道 耐压:500V 电流:8A

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描述
特性:低漏源导通电阻:RDS(ON)=0.7Ω(典型值)。 高正向传输导纳:|Yfs| = 4.0S(典型值)。 低泄漏电流:IDSS = 10μA(最大值)(VDS = 500V)。 增强模式:Vth = 2.0V-4.0V (VDS = 10V, ID = 1mA)
品牌名称
TOSHIBA(东芝)
商品型号
TK8A50D(STA4,X,M)
商品编号
C2848496
商品封装
TO-220​
包装方式
管装
商品毛重
2.645克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)500V
连续漏极电流(Id)8A
导通电阻(RDS(on))850mΩ@10V
耗散功率(Pd)40W
阈值电压(Vgs(th))4V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)16nC@10V
输入电容(Ciss)800pF
反向传输电容(Crss)4pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)100pF

商品概述

G86N03采用先进的沟槽技术和设计,在低栅极电荷的情况下提供出色的漏源导通电阻(RDS(ON))。它可用于多种应用。

商品特性

  • 低漏源导通电阻:RDS(ON) = 0.7 Ω(典型值)
  • 高正向传输导纳:|Yfs| = 4.0 S(典型值)
  • 低漏电流:IDSS = 10 \mu A(最大值)(VDS = 500 V)
  • 增强模式:Vth = 2.0 至 4.0 V(VDS = 10 V, ID = 1 mA)

应用领域

-功率开关应用-硬开关和高频电路-不间断电源

数据手册PDF