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FDMS86350
N沟道 耐压:80V 电流:130A
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- 描述
- 此 N 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，特别适用于最大程度降低导通电阻，同时保持卓越的开关性能。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDMS86350
- 商品编号
- C2847346
- 商品封装
- Power(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.232克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 130A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.2mΩ@8V | |
| 耗散功率(Pd) | 156W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 155nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 10.68nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 31pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.825nF |
商品概述
- 分裂栅沟槽 MOSFET 技术
- 出色的散热封装
- 高密度单元设计，实现低漏源导通电阻（RDS(ON)）
商品特性
- 在 VGS = 10 V、ID = 25 A 条件下,最大 rDS(on) = 2.4 m Ω
- 在 VGS = 8 V、ID = 22 A 条件下,最大 rDS(on) = 3.2 m Ω
- 采用先进的封装与硅片组合,实现低RDS(ON)和高效率
- MSL1 坚固封装设计
- 100% 进行 UII 测试
- 符合 RoHS 标准
应用领域
- 主 MOSFET
- 同步整流器
- 负载开关
- 电机控制开关