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DF2S6M4CT,L3F(B

ESD 5.5V截止峰值浪涌电流：2A@8/20us

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描述: DF2S6M4CT是一款瞬态电压抑制（TVS）二极管（静电放电保护二极管），用于保护移动设备接口及其他应用中的半导体器件，使其免受静电和噪声影响。DF2S6M4CT利用回滞特性，具有低动态电阻和出色的保护性能。此外，其低电容特性使其非常适合高速信号应用。DF2S6M4CT采用超紧凑型封装（1.0 mm×0.6 mm），适用于对占用空间要求较小的应用。
品牌名称: TOSHIBA(东芝)
商品型号: DF2S6M4CT,L3F(B
商品编号: C2847408
商品封装: SOD-882
包装方式: 编带
商品毛重: 0.009克(g)

商品参数

商品概述

DF2S6M4CT是一款瞬态电压抑制（TVS）二极管（静电放电保护二极管），用于保护移动设备接口及其他应用中的半导体器件，使其免受静电和噪声影响。 DF2S6M4CT利用回滞特性，具有低动态电阻和出色的保护性能。此外，其低电容特性使其非常适合高速信号应用。DF2S6M4CT采用超紧凑型封装（1.0 mm×0.6 mm），适用于对占用空间要求较小的应用。

商品特性

适用于5 V信号线。（VRWM≤5.5 V）
凭借高静电放电性能保护器件。（VESD=±20 kV（接触/空气）@IEC61000 - 4 - 2）
低动态电阻可保护半导体器件免受静电和噪声影响。（RDYN = 0.3Ω（典型值））
回滞特性实现低钳位电压，保护半导体器件。（Δ(VC = 9 V@IPP = 2 A（典型值））
紧凑型封装适用于移动设备等高密度电路板布局。尺寸为1.0 mm×0.6 mm（昵称：CST2）

应用领域

移动设备
智能手机
平板电脑
笔记本电脑
台式电脑

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	静电和浪涌保护(TVS/ESD)
	反向截止电压(Vrwm)	5.5V
	钳位电压	15V
	峰值脉冲电流(Ipp)	2A@8/20us
	峰值脉冲功率(Ppp)	30W@8/20us

	属性	参数值
	击穿电压	7.9V
	反向电流(Ir)	100nA
	防护等级	IEC 61000-4-2
	类型	ESD
	Cj-结电容	0.35pF