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HN1C01F-GR(TE85L,F
NPN 电流:150mA 电压:50V
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- 描述
- 特性：小封装（双类型）。 高电压和高电流：VCEO = 50V，IC = 150mA（最大值）。 高hFE：hFE = 120至400。 出色的hFE线性度：hFE（Ic = 0.1mA）/ hFE（Ic = 2mA） = 0.95（典型值）
- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- HN1C01F-GR(TE85L,F
- 商品编号
- C2847406
- 商品封装
- USC
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.033克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 晶体管类型 | NPN | |
| 集电极电流(Ic) | 150mA | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 50V | |
| 耗散功率(Pd) | 300mW | |
| 直流电流增益(hFE) | 120@2mA,6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 特征频率(fT) | 80MHz | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 100nA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 250mV | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 5V |
商品特性
- 小封装（双类型）
- 高电压和高电流：VCEO = 50 V，lc = 150 mA (max)
- 高hFE：hFE = 120 to 400
- 出色的hFE线性度：hFE (Ic = 0.1 mA) / hFE (Ic = 2 mA) = 0.95 (typ.)
应用领域
- 音频通用放大器应用
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总价金额：
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