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HL2309
P沟道,电流:-1.25A,耐压:-60V
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- 描述
- 特性：VDS = -60V。 ID = -1.25A。 RDS(on)@VGS = -10V < 340mΩ。 RDS(on)@VGS = -4.5V < 550mΩ。 Trench Power MV MOSFET技术。 电压控制小信号开关。应用：电池供电系统。 固态继电器
- 品牌名称
- R+O(宏嘉诚)
- 商品型号
- HL2309
- 商品编号
- C28646263
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.046667克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.25A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 275mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.25W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 5.4nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 380pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 6pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 32pF |
商品特性
- 漏源电压（VDS） = 20 V
- 漏极电流（ID） = 3 A
- 栅源电压（VGS） = 4.5 V 时，导通电阻（RDS(on)） < 45 mΩ
- 栅源电压（VGS） = 2.5 V 时，导通电阻（RDS(on)） < 58 mΩ
- 沟槽功率中压 MOSFET 技术
- 电压控制小信号开关
- 快速开关速度
应用领域
- 电池供电系统-固态继电器-直接逻辑电平接口:TTL/CMOS