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HL2312
N沟道,电流:5.5A,耐压:20V
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- 描述
- 特性：VDS = 20V。 ID = 5.5A。 RDS(on)@VGS = 4.5V < 25mΩ。 RDS(on)@VGS = 2.5V < 32mΩ。 沟槽功率MV MOSFET技术。 电压控制小信号开关。应用：电池供电系统。 固态继电器
- 品牌名称
- R+O(宏嘉诚)
- 商品型号
- HL2312
- 商品编号
- C28646272
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.036885克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 19.5mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 620mV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 6nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 418pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 70pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 82pF |
商品特性
- 漏源电压(VDS) = 20 V
- 漏极电流(ID) = 5.5 A
- 栅源电压(VGS) = 4.5 V时,导通电阻(RDS(on)) < 25 mΩ
- 栅源电压(VGS) = 2.5 V时,导通电阻(RDS(on)) < 32 mΩ
- 沟槽功率中压MOSFET技术
- 电压控制小信号开关
- 快速开关速度
应用领域
- 电池供电系统
- 固态继电器
- 直接逻辑电平接口:TTL/CMOS