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HL2306
N沟道,电流:3.5A,耐压:30V
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- 描述
- 特性：VDS = 30V。 ID = 3.5A。 RDS(on)@VGS = 10V < 39mΩ。 RDS(on)@VGS = 4.5V < 59mΩ。 先进的沟槽工艺技术。 低阈值电压。应用：便携式设备的负载开关。 电压控制小信号开关
- 品牌名称
- R+O(宏嘉诚)
- 商品型号
- HL2306
- 商品编号
- C28646262
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.042391克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 29.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.25W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 7.2nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 363pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 39pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 49pF |
商品概述
这款30V低压SGT MOSFET实现了超低导通电阻和栅极电荷。凭借开关性能和传导性能之间的出色平衡，GBS032R4PMAR在硬开关和软开关拓扑中均能提供极高的效率。GBS032R4PMAR采用PDFN5*6封装。
商品特性
- 漏源电压(VDS) = 30V
- 漏极电流(ID) = 3.5A
- 栅源电压(VGS) = 10V 时,导通电阻(RDS(on)) < 39 mΩ
- 栅源电压(VGS) = 4.5V 时,导通电阻(RDS(on)) < 59 mΩ
- 先进的沟槽工艺技术
- 低阈值电压
- 快速开关速度
应用领域
- 便携式设备的负载开关
- 电压控制小信号开关
- 直接逻辑电平接口:TTL/CMOS